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2023-11-17 来源：据日前最新发布的一份名为《全球半导体技术路线图》的报告数据显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。据预计，到2015年，全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。
据悉，该报告是由欧洲、日本、韩国、中国台湾和美国的主要半导体厂商联合发布的，主要致力于寻求未来的半导体制造技术。当前，传统的硅技术尽管仍拥有众多优势，但无法长期适应半导体产业的金科玉律“摩尔定律”。
为适应“摩尔定律”，在缩减晶体管体积方面，半导体行业也开发出不少新技术。尽管如此，这些技术也只能维持十年左右。因此，业内研发人员不断在尝试硅以外的其他技术，如有机分子和炭纳米管等。
据最新报告数据显示，目前一种新的“纳米转换”技术比较可行，而且制造成本也相对低廉。据研究人员预计，到2015年，全球半导体产业可能向该技术转移，因为当前的硅技术也只能维持到2015年。
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IC厌氧反应器简介IC厌氧反应器是一种高效的多级内循环反应器，是第三代厌氧反应器的典型代表。与前二代厌氧器相比、它具有占地面积少、容积负荷量高，布水均匀，抗冲击能力强、性能更稳定、操作更简单的多种优势。例如，当COD为10000-15000mg/l时的高浓度有机废水，第二代USCB反应器一般容积负荷为5-8k
IC反应器是在UASB的基础上发展而来的，是一种高效的多级内循环反应器，为第三代厌氧反应器的代表类型。具有容积负荷高、抗冲击能力强、相比UASB占地小等优点。下面就IC反应器在实际应用中所遇上问题做摘录，供参考。一关于IC反应器IC反应器其实就是由两个上下重叠的UASB反应器串联组成的。由下面第一个
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